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GermanyS34MS02G104BHI010
元器件型号详细信息
原厂型号
S34MS02G104BHI010
摘要
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63BGA
详情
闪存 - NAND 存储器 IC 2Gb 并联 45 ns 63-BGA（11x9）
原厂/品牌
Cypress Semiconductor Corp
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
210
供应商库存
技术参数
制造商
Cypress Semiconductor Corp
系列
MS-1
包装
托盘
Product Status
在售
allaboutcomponents.com 可编程
Not Verified
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
闪存 - NAND
存储容量
2Gb
存储器组织
128M x 16
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
45ns
访问时间
45 ns
电压 - 供电
1.7V ~ 1.95V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
63-VFBGA
供应商器件封装
63-BGA（11x9）
基本产品编号
S34MS02
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
其它名称
S99-50557
S34MS02G104BHI010-ND
2832-S34MS02G104BHI010
1274-1066
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Cypress Semiconductor Corp S34MS02G104BHI010
相关文档
规格书
1(S34ML08G1)
环保信息
1(RoHS Certificate)
特色产品
1(Cypress Memory Products)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Test Site Qualification 18/Sep/2014)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Mult Devices 01/Apr/2019)
EDA 模型
1(S34MS02G104BHI010 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-