English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIXFA3N120-TRL
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFA3N120-TRL
摘要
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
详情
表面贴装型 N 通道 1200 V 3A（Tc） 200W（Tc） TO-263AA（IXFA）
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
64 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1050 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263AA（IXFA）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IXFA3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
IXFA3N120-TRLCT
IXFA3N120TRLCT-ND
IXFA3N120-TRLTR
IXFA3N120TRL
IXFA3N120TRLTR-ND
IXFA3N120TRLTR
IXFA3N120-TRLDKR
IXFA3N120TRLCT
IXFA3N120TRLDKR
IXFA3N120TRLDKR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXFA3N120-TRL
相关文档
规格书
1(IXFA3N120, IXFP3N120)
HTML 规格书
1(IXFA3N120, IXFP3N120)
价格
数量: 800
单价: $51.43686
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
替代型号
-