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20250429
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元器件资讯
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IRFR210TRRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFR210TRRPBF
摘要
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 2.6A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
17 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
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技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 欧姆 @ 1.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
140 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),25W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
IRFR210
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRFR210TRRPBFTR
IRFR210TRRPBF-ND
IRFR210TRRPBFCT
IRFR210TRRPBFDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix IRFR210TRRPBF
相关文档
规格书
1(IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_210)
PCN 设计/规格
1(Reel Design Change 29/Dec/2022)
PCN 组装/来源
1(SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014)
HTML 规格书
1(IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_210)
价格
数量: 3000
单价: $4.67436
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
替代型号
型号 : IRFR210TRPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 10,233
单价. : ¥9.30000
替代类型. : 参数等效
型号 : IRFR210TRLPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 5,798
单价. : ¥9.30000
替代类型. : 参数等效
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