元器件型号详细信息

原厂型号
EPC2108
摘要
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
详情
MOSFET - 阵列 60V,100V 1.7A,500mA 表面贴装型 9-BGA(1.35x1.35)
原厂/品牌
EPC
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
EPC
系列
eGaN®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
GaNFET(氮化镓)
配置
3 N 沟道(半桥 + 同步自举)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
60V,100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A,500mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
190 毫欧 @ 2.5A,5V,3.3 欧姆 @ 2.5A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 100µA,2.5V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.22nC @ 5V,0.044nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
22pF @ 30V,7pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
9-VFBGA
供应商器件封装
9-BGA(1.35x1.35)
基本产品编号
EPC210

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

917-1169-1
917-1169-2
917-1169-6

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/EPC EPC2108

相关文档

规格书
1(EPC2108)
视频文件
()
环保信息
1(EPC RoHS & Halogen Cert)
特色产品
()
参考设计库
1(EPC9113(#1): 16W, Class-D, Rezence (A4WP) Compatible)
PCN 产品变更/停产
1(OBS EPC2108 03/Mar/2023)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Add 28/Aug/2020)
PDC 图片(仅限内部)
1(EPC210xENGRT Top View)
HTML 规格书
1(EPC2108)
Forum Discussions
1(What do GaN FETS look like and how do they work?)

价格

数量: 1000
单价: $6.80114
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $8.20828
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $9.9906
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $12.434
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $13.83
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $13.83
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : EPC2107
制造商 : EPC
库存 : 5,673
单价. : ¥15.26000
替代类型. : 直接