FCD360N65S3R0

元器件型号详细信息

原厂型号

FCD360N65S3R0

摘要

MOSFET N-CH 650V 10A DPAK

详情

表面贴装型 N 通道 650 V 10A（Tc） 83W（Tc） D-PAK（TO-252）

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

SuperFET® III

包装

卷带（TR）

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

360 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

18 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

730 pF @ 400 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

83W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D-PAK（TO-252）

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

FCD360

其它名称

FCD360N65S3R0OSTR

2832-FCD360N65S3R0TR

FCD360N65S3R0-ND

2156-FCD360N65S3R0-OS

ONSONSFCD360N65S3R0

FCD360N65S3R0OSCT

FCD360N65S3R0OSDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FCD360N65S3R0

价格

数量: 2500

单价: $8.40449
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $9.02707
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $10.89474
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $13.2607
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $16.495
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $18.36
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $9.02707
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $10.89474
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $13.2607
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $16.495
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $18.36
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : TK380P65Y,RQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 2,268
单价. : ¥13.75000
替代类型. : 直接

型号 : STD16N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥15.90000
替代类型. : 类似

型号 : IPD70R360P7SAUMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 123,530
单价. : ¥9.38000
替代类型. : 类似

型号 : TK12P60W,RVQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥8.33872
替代类型. : 类似

RN73R1ETTP2002B25 RN73H2ATTD4591F10 CX10S-ACBGDG-P-A-DK00000 3386J-1-502LF FW-14-01-F-D-200-075

FCD360N65S3R0

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