CSD25211W1015

元器件型号详细信息

原厂型号

CSD25211W1015

摘要

MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

详情

表面贴装型 P 通道 20 V 3.2A（Ta） 1W（Ta） 6-DSBGA（1x1.5）

原厂/品牌

Texas Instruments

原厂到货时间

8 周

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Texas Instruments

系列

NexFET™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

33 毫欧 @ 1.5A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

4.1 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）

-6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

570 pF @ 10 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

1W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

6-DSBGA（1x1.5）

封装/外壳

6-UFBGA，DSBGA

基本产品编号

CSD25211

其它名称

CSD25211W1015-ND

-296-36578-1-ND

296-36578-6-NDR

-296-36578-1

296-36578-1

296-36578-2-NDR

296-36578-1-NDR

296-36578-2

-CSD25211W1015-NDR

296-36578-6

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD25211W1015

价格

数量: 30000

单价: $1.45312
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 15000

单价: $1.53258
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 6000

单价: $1.64611
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 3000

单价: $1.75963
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 1000

单价: $2.02929
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $2.62602
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $3.3421
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $4.476
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $5.25
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $2.02929
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $2.62602
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $3.3421
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $4.476
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $5.25
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : PMCM6501UPEZ

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 17,988
单价. : ¥4.69000
替代类型. : 类似

ESQT-102-03-L-D-390 SSM-112-S-DV-BE-A-P RN73H2ETTD24R3F25 CRCW12101K05FKEA RN732BTTD1600B05

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