元器件型号详细信息

原厂型号
BC858BHZGT116
摘要
TRANS PNP 30V 0.1A SST3
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 30 V 100 mA 200 mW 表面贴装型 SST3
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Rohm Semiconductor
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
Product Status
不适用于新设计
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
210 @ 2mA,5V
功率 - 最大值
200 mW
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
SST3
基本产品编号
BC858

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

846-BC858BHZGT116TR
846-BC858BHZGT116CT
846-BC858BHZGT116DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/单双极晶体管/Rohm Semiconductor BC858BHZGT116

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1(BC858BHZG)

价格

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