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GermanyIPP65R310CFDXKSA2
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP65R310CFDXKSA2
摘要
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3
详情
通孔 N 通道 650 V 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ CFD2
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
310 毫欧 @ 4.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 400µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
41 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1100 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
104.2W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP65R310
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPP65R310CFDXKSA2-ND
SP001987356
448-IPP65R310CFDXKSA2
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP65R310CFDXKSA2
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