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GermanyHN1B04FU-GR,LF
元器件型号详细信息
原厂型号
HN1B04FU-GR,LF
摘要
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 NPN，PNP 50V 150mA 150MHz 200mW 表面贴装型 US6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
晶体管类型
NPN，PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
200 @ 2mA，6V
功率 - 最大值
200mW
频率 - 跃迁
150MHz
工作温度
125°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
US6
基本产品编号
HN1B04
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
HN1B04FU-GR(L,F,T)
HN1B04FU-GRLFT
HN1B04FU-GRLFCT
HN1B04FU-GR(LFT)TR-ND
HN1B04FU-GRLF-ND
HN1B04FU-GR(LFT)DKR-ND
264-HN1B04FU-GR,LFCT
HN1B04FU-GR(LFT)CT-ND
HN1B04FU-GRLFINACTIVE
HN1B04FU-GR(LFT)DKR
HN1B04FU-GRLFCT-ND
HN1B04FU-GR,LF(B
264-HN1B04FU-GR,LFDKR
HN1B04FU-GR(LFT)TR
HN1B04FU-GRLFTR-ND
264-HN1B04FU-GR,LFTR
HN1B04FU-GR(LFT)CT
HN1B04FU-GRLF
HN1B04FU-GRLFDKR-ND
HN1B04FU-GRLFDKR
HN1B04FU-GR,LF(T
HN1B04FU-GRLFTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列/Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-GR,LF
相关文档
规格书
1(HN1B04FU)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 01/Jul/2014)
PCN 零件编号
1(Part Number Change Due to Production Site Change Jul/2014)
EDA 模型
1(HN1B04FU-GR by Ultra Librarian)
价格
数量: 150000
单价: $0.29812
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 75000
单价: $0.31601
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 30000
单价: $0.33708
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $0.35814
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $0.42135
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $0.48455
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 1
单价: $2.62
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $2.62
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
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