English
Spain
Rusia
Italy
GermanyGT10G131(TE12L,Q)
元器件型号详细信息
原厂型号
GT10G131(TE12L,Q)
摘要
IGBT 400V 1W 8-SOIC
详情
IGBT 400 V 1 W 表面贴装型 8-SOP（5.5x6.0）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
400 V
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.3V @ 4V，200A
功率 - 最大值
1 W
开关能量
-
输入类型
标准
25°C 时 Td（开/关）值
3.1µs/2µs
测试条件
-
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装
8-SOP（5.5x6.0）
基本产品编号
GT10G131
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Toshiba Semiconductor and Storage GT10G131(TE12L,Q)
相关文档
规格书
1(GT10G131)
PCN 产品变更/停产
1(EOL 08/Nov/2013)
HTML 规格书
1(GT10G131)
价格
-
替代型号
-