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最后更新

20250519
Language
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BSC350N20NSFDATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号
BSC350N20NSFDATMA1
摘要
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
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技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
35 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2410 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC350

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

BSC350N20NSFDATMA1CT
BSC350N20NSFDATMA1DKR
BSC350N20NSFDATMA1-ND
BSC350N20NSFDATMA1TR
SP001108124

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC350N20NSFDATMA1

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规格书
1(BSC350N20NSFD)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022)
PCN 组装/来源
1(Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(BSC350N20NSFD)
EDA 模型
1(BSC350N20NSFDATMA1 by Ultra Librarian)

价格

数量: 5000
单价: $13.02889
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
数量: 2000
单价: $13.53781
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $14.25036
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $16.89688
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $19.8485
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $24.223
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $26.95
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