元器件型号详细信息

原厂型号
XPH2R106NC,L1XHQ
摘要
MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 110A(Ta) 960mW(Ta),170W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
110A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.1mOhm @ 55A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
104 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6900 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
960mW(Ta),170W(Tc)
工作温度
175°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOP Advance(5x5)
封装/外壳
8-SOIC(0.197",5.00mm 宽)
基本产品编号
XPH2R106

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

264-XPH2R106NCL1XHQCT
XPH2R106NC,L1XHQ(O
264-XPH2R106NCL1XHQTR
264-XPH2R106NCL1XHQDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage XPH2R106NC,L1XHQ

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