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GermanyNCP5911MNTBG
元器件型号详细信息
原厂型号
NCP5911MNTBG
摘要
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
详情
半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-DFN（2x2）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
驱动配置
半桥
通道类型
同步
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
逻辑电压 - VIL，VIH
0.6V，3.3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
-
输入类型
非反相
上升/下降时间（典型值）
16ns，11ns
工作温度
0°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-VFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
8-DFN（2x2）
基本产品编号
NCP5911
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
其它名称
NCP5911MNTBGOSTR
2156-NCP5911MNTBG-ONTR
NCP5911MNTBGOSCT
NCP5911MNTBG-ND
NCP5911MNTBGOSDKR
ONSONSNCP5911MNTBG
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/电源管理（PMIC）/栅极驱动器/onsemi NCP5911MNTBG
相关文档
规格书
1(NCP5911)
视频文件
1(5 Vgs MOSFET Evaluation Board - ONS321A5VGEVB)
环保信息
()
HTML 规格书
1(NCP5911)
EDA 模型
1(NCP5911MNTBG by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : NCP81151MNTBG
制造商 : onsemi
库存 : 4,040
单价. : ¥3.82000
替代类型. : 直接
库存 : 4,040
单价. : ¥3.82000
替代类型. : 直接