元器件型号详细信息

原厂型号
IPL60R365P7AUMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 10A(Tc) 46W(Tc) PG-VSON-4
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ P7
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
365 毫欧 @ 2.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
555 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
46W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-VSON-4
封装/外壳
4-PowerTSFN
基本产品编号
IPL60R365

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
2A(4 周)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IFEINFIPL60R365P7AUMA1
IPL60R365P7AUMA1DKR
IPL60R365P7AUMA1TR
SP001606054
IPL60R365P7AUMA1CT
2156-IPL60R365P7AUMA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPL60R365P7AUMA1

相关文档

规格书
1(IPL60R365P7)
PCN 设计/规格
1(Mult Device MSL Update 4/Sep/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
HTML 规格书
1(IPL60R365P7)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 600V P7 Spice Model)

价格

数量: 6000
单价: $9.8435
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $10.22209
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $10.97929
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $13.2509
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $16.128
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $20.066
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $22.34
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1

替代型号

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