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GermanyUMT18NTR
元器件型号详细信息
原厂型号
UMT18NTR
摘要
PNP+PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 PNP（双） 12V 500mA 260MHz 150mW 表面贴装型 UMT6
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
26 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
晶体管类型
2 PNP（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
12V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
250mV @ 10mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
270 @ 10mA，2V
功率 - 最大值
150mW
频率 - 跃迁
260MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
UMT6
基本产品编号
UMT18
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
UMT18NDKR
UMT18NCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列/Rohm Semiconductor UMT18NTR
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规格书
1(UMT18N)
EDA 模型
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价格
数量: 15000
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替代型号
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