English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRFH5025TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFH5025TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 250 V 3.8A（Ta） 3.6W（Ta），8.3W（Tc） 8-PQFN（5x6）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
Product Status
最后售卖
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 5.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2150 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.6W（Ta），8.3W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
IRFH5025
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRFH5025TRPBFCT
IRFH5025TRPBFTR
INFINFIRFH5025TRPBF
IRFH5025TRPBF-ND
SP001575486
IRFH5025TRPBFDKR
2156-IRFH5025TRPBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFH5025TRPBF
相关文档
规格书
1(IRFH5025PBF)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 9/Nov/2022)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Assembly Site Revision 03/Feb/2015)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML 规格书
1(IRFH5025PBF)
EDA 模型
1(IRFH5025TRPBF by Ultra Librarian)
仿真模型
1(IRFH5025TR2PBF Saber Model)
价格
数量: 4000
单价: $13.16428
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000
替代型号
型号 : TPH1110FNH,L1Q
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 5,316
单价. : ¥14.47000
替代类型. : 类似
库存 : 5,316
单价. : ¥14.47000
替代类型. : 类似
型号 : RJK2555DPA-00#J0
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似