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GermanyNTTS2P02R2G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTTS2P02R2G
摘要
MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 2.4A（Ta） 780mW（Ta） 8-MSOP
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 2.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
550 pF @ 16 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
780mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-MSOP
封装/外壳
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
基本产品编号
NTTS2P
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
NTTS2P02R2GOSTR
NTTS2P02R2GOS
NTTS2P02R2GOS-ND
NTTS2P02R2GOSCT
ONSONSNTTS2P02R2G
=NTTS2P02R2GOSCT-ND
2156-NTTS2P02R2G-ONTR-ND
2156-NTTS2P02R2G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTTS2P02R2G
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规格书
1(NTTS2P02R2)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 21/Jan/2010)
HTML 规格书
1(NTTS2P02R2)
EDA 模型
1(NTTS2P02R2G by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : ZXM64P02XTA
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 11,470
单价. : ¥11.26000
替代类型. : 类似
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