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GermanyIPN80R600P7ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPN80R600P7ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 800 V 8A（Tc） 7.4W（Tc） PG-SOT223
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ P7
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
600 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 170µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
570 pF @ 500 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
7.4W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
IPN80R600
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPN80R600P7ATMA1DKR
INFINFIPN80R600P7ATMA1
IPN80R600P7ATMA1TR
2156-IPN80R600P7ATMA1
IPN80R600P7ATMA1CT
IPN80R600P7ATMA1-ND
SP001665004
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPN80R600P7ATMA1
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规格书
1(IPN80R600P7)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Pkg Mark Chg 12/Aug/2021)
HTML 规格书
1(IPN80R600P7)
仿真模型
1(MOSFET CoolMOS™ P7 800V Spice Model)
价格
数量: 6000
单价: $6.35879
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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