元器件型号详细信息

原厂型号
NVD5865NLT4G
摘要
MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 10A(Ta),46A(Tc) 3.1W(Ta),71W(Tc) DPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A(Ta),46A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
16 毫欧 @ 19A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
29 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1400 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta),71W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
NVD586

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

ONSONSNVD5865NLT4G
SVD5865NLT4GOSDKR
NVD5865NLT4GOSCT
SVD5865NLT4GOSTR
2156-NVD5865NLT4G-OS
NVD5865NLT4GOSTR
SVD5865NLT4GOSDKR-ND
NVD5865NLT4GOSDKR
SVD5865NLT4G
NVD5865NLT4G-ND
SVD5865NLT4GOSCT
SVD5865NLT4GOSTR-ND
SVD5865NLT4GOSCT-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NVD5865NLT4G

相关文档

规格书
1(NVD5865NL)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Assembly/Test Site Add 29/Sep/2016)
HTML 规格书
1(NVD5865NL)
EDA 模型
1(NVD5865NLT4G by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

型号 : NVD5C684NLT4G
制造商 : onsemi
库存 : 0
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型号 : SVD5865NLT4G
制造商 : onsemi
库存 : 87,500
单价. : ¥2.87262
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制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥12.80000
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型号 : AOD442
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库存 : 365,838
单价. : ¥6.04000
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制造商 : Infineon Technologies
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制造商 : Infineon Technologies
库存 : 196
单价. : ¥8.59000
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制造商 : STMicroelectronics
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单价. : ¥16.54000
替代类型. : 类似
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库存 : 9,560
单价. : ¥9.06000
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制造商 : STMicroelectronics
库存 : 236
单价. : ¥14.55000
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型号 : IRFR2307ZTRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 5,996
单价. : ¥12.48000
替代类型. : 类似