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元器件资讯
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IXGN82N120B3H1
元器件型号详细信息
原厂型号
IXGN82N120B3H1
摘要
IGBT MOD 1200V 145A 595W SOT227B
详情
IGBT 模块 PT 单路 1200 V 145 A 595 W 底座安装 SOT-227B
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
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技术参数
制造商
IXYS
系列
GenX3™
包装
管件
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
IGBT 类型
PT
配置
单路
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
145 A
功率 - 最大值
595 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.2V @ 15V,82A
电流 - 集电极截止(最大值)
50 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
7.9 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227B
基本产品编号
IXGN82
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/IXYS IXGN82N120B3H1
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1(IXGN82N120B3H1)
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