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GermanyNTUD3169CZT5G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTUD3169CZT5G
摘要
MOSFET N/P-CH 20V SOT963
详情
MOSFET - 阵列 20V 220mA，200mA 125mW 表面贴装型 SOT-963
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
47 周
EDA/CAD 模型
标准包装
8,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA，200mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12.5pF @ 15V
功率 - 最大值
125mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-963
供应商器件封装
SOT-963
基本产品编号
NTUD3169
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
NTUD3169CZT5G-ND
NTUD3169CZT5GOSDKR
NTUD3169CZT5GOSTR
ONSNTUD3169CZT5G
2156-NTUD3169CZT5G-OS
NTUD3169CZT5GOSCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NTUD3169CZT5G
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规格书
1(NTUD3169CZ)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(Wire Bond 01/Dec/2010)
HTML 规格书
1(NTUD3169CZ)
EDA 模型
1(NTUD3169CZT5G by Ultra Librarian)
价格
数量: 8000
单价: $1.16902
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 8000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 8000
数量: 2000
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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