元器件型号详细信息

原厂型号
SI4435DYTR
摘要
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
60 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2320 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

相关信息

RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies SI4435DYTR

相关文档

规格书
1(SI4435DY)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(EOL122B 02/Oct/2007)
HTML 规格书
1(SI4435DY)

价格

-

替代型号

型号 : SI4435DYTRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 22,890
单价. : ¥8.19000
替代类型. : 直接
型号 : SI4435DY
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥8.11000
替代类型. : 升级
型号 : AO4411
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 162,789
单价. : ¥5.01000
替代类型. : 类似
型号 : DMP3036SSS-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 8,314
单价. : ¥5.80000
替代类型. : 类似
型号 : RS3E075ATTB
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 11,673
单价. : ¥7.23000
替代类型. : 类似
型号 : FDS4435BZ
制造商 : onsemi
库存 : 46,934
单价. : ¥5.72000
替代类型. : 类似
型号 : FDS4435A
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : AO4419
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 29,683
单价. : ¥5.56000
替代类型. : 类似