English
Spain
Rusia
Italy
GermanyNXH350N100H4Q2F2S1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NXH350N100H4Q2F2S1G
摘要
IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1000 V 303 A 276 W 底座安装 42-PIM/Q2PACK（93x47）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
75 周
EDA/CAD 模型
标准包装
12
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
托盘
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
三级反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）
1000 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
303 A
功率 - 最大值
276 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.3V @ 15V，375A
电流 - 集电极截止（最大值）
1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
24.146 nF @ 20 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
42-PIM/Q2PACK（93x47）
基本产品编号
NXH350
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/onsemi NXH350N100H4Q2F2S1G
相关文档
规格书
1(NXH350N100H4Q2F2P1G, NXH350N100H4Q2F2S1G)
视频文件
1(Energy Infrastructure | Solutions for Solar Inverters)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Source 25/Jul/2022)
价格
数量: 36
单价: $1911.36278
包装: 托盘
最小包装数量: 1
包装: 托盘
最小包装数量: 1
数量: 12
单价: $1954.47833
包装: 托盘
最小包装数量: 1
包装: 托盘
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $2040.74
包装: 托盘
最小包装数量: 1
包装: 托盘
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : NXH350N100H4Q2F2P1G
制造商 : onsemi
库存 : 36
单价. : ¥2,040.74000
替代类型. : 参数等效
库存 : 36
单价. : ¥2,040.74000
替代类型. : 参数等效