SPB04N60C3ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

SPB04N60C3ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 650V 4.5A TO263-3

详情

表面贴装型 N 通道 650 V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

950 毫欧 @ 2.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 200µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

25 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

490 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

50W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3-2

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

SPB04N

其它名称

2156-SPB04N60C3ATMA1

SPB04N60C3INCT-NDR

SPB04N60C3INDKR

SPB04N60C3

SPB04N60C3ATMA1TR

SPB04N60C3XTINTR

SPB04N60C3ATMA1DKR

SPB04N60C3XTINTR-ND

SPB04N60C3INTR-ND

SPB04N60C3XTINCT

SPB04N60C3XT

SPB04N60C3INDKR-NDR

SPB04N60C3INTR

SPB04N60C3XTINCT-ND

IFEINFSPB04N60C3ATMA1

SPB04N60C3ATMA1CT

SP000013533

SPB04N60C3INCT-ND

SPB04N60C3INDKR-ND

SPB04N60C3INCT

SPB04N60C3INTR-NDR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPB04N60C3ATMA1

价格

-

替代型号

型号 : STB9NK80Z

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥19.08000
替代类型. : 直接

型号 : IRFBC40ASTRLPBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 800
单价. : ¥35.38000
替代类型. : 类似

型号 : R6004KNJTL

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 1,000
单价. : ¥15.02000
替代类型. : 类似

型号 : STB6N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥13.28000
替代类型. : 类似

型号 : SIHD6N62ET1-GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥5.50406
替代类型. : 类似

型号 : R6004ENJTL

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 0
单价. : ¥11.37000
替代类型. : 类似

HMTSW-112-22-G-T-100 392-102-542-201 RN73H1JTTD10R9F50 HLE-120-02-LM-DV-TE SS3P6-M3/84A

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