English
Spain
Rusia
Italy
GermanyNGTB60N60SWG
元器件型号详细信息
原厂型号
NGTB60N60SWG
摘要
IGBT 600V 120A 298W TO247
详情
IGBT 沟槽型场截止 600 V 120 A 298 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.5V @ 15V，60A
功率 - 最大值
298 W
开关能量
1.41mJ（开），600µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
173 nC
25°C 时 Td（开/关）值
87ns/180ns
测试条件
400V，60A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
76 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
NGTB60
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-NGTB60N60SWG-ON
ONSONSNGTB60N60SWG
NGTB60N60SWGOS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi NGTB60N60SWG
相关文档
规格书
1(NGTB60N60SWG)
环保信息
()
特色产品
1(On Semi - FL2 Series Field Stop 2 IGBTs)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 18/Oct/2018)
HTML 规格书
1(NGTB60N60SWG)
价格
-
替代型号
型号 : STGW80V60DF
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥57.16000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥57.16000
替代类型. : 直接
型号 : IXXH50N60B3D1
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥101.68000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥101.68000
替代类型. : 类似
型号 : IXGH36N60B3
制造商 : IXYS
库存 : 472
单价. : ¥53.34000
替代类型. : 类似
库存 : 472
单价. : ¥53.34000
替代类型. : 类似
型号 : IXXH50N60B3
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥70.68453
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥70.68453
替代类型. : 类似
型号 : IXXH50N60C3D1
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥106.60000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥106.60000
替代类型. : 类似
型号 : IXXH50N60C3
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥66.71370
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥66.71370
替代类型. : 类似