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GermanySTGW8M120DF3
元器件型号详细信息
原厂型号
STGW8M120DF3
摘要
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
详情
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 16 A 167 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
M
包装
管件
Product Status
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
16 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
32 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.3V @ 15V，8A
功率 - 最大值
167 W
开关能量
390µJ（开），370µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
32 nC
25°C 时 Td（开/关）值
20ns/126ns
测试条件
600V，8A，33 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
103 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
STGW8
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/STMicroelectronics STGW8M120DF3
相关文档
规格书
1(STGW(A)8M120DF3 Datasheet)
视频文件
1(Traction Inverter Power Stages in Electric Vehicles)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(New Molding Compound 13/Sep/2019)
EDA 模型
1(STGW8M120DF3 by Ultra Librarian)
仿真模型
1(STGW8M120DF3 PSpice Model)
价格
数量: 2000
单价: $17.90982
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $18.8524
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $22.35354
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $26.2585
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $32.046
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $35.7
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-