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GermanyCSD16407Q5C
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD16407Q5C
摘要
MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 31A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+16V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2660 pF @ 12.5 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
CSD164
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-CSD16407Q5C
-296-25664-1-ND
296-25664-1
TEXTISCSD16407Q5C
296-25664-6
-CSD16407Q5C-NDR
296-25664-2
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD16407Q5C
相关文档
规格书
1(CSD16407Q5C)
产品培训模块
1(NexFET MOSFET Technology)
视频文件
()
特色产品
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 10/Aug/2018)
PCN 设计/规格
1(Qualification Revision A 01/Jul/2014)
制造商产品页面
1(CSD16407Q5C Specifications)
HTML 规格书
1(CSD16407Q5C)
EDA 模型
1(CSD16407Q5C by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : CSD16407Q5
制造商 : Texas Instruments
库存 : 7,265
单价. : ¥13.99000
替代类型. : 直接
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型号 : CSD16414Q5
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库存 : 16,194
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型号 : BSC018NE2LSATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 10,000
单价. : ¥11.69000
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型号 : RJK0346DPA-01#J0B
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 2,500
单价. : ¥12.04162
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型号 : IRLHM620TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 27,750
单价. : ¥8.35000
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型号 : BSC018NE2LSIATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 4,900
单价. : ¥12.00000
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型号 : BSC025N03MSGATMA1
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库存 : 0
单价. : ¥11.21000
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型号 : BSC020N03MSGATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 26,906
单价. : ¥13.20000
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单价. : ¥13.20000
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