元器件型号详细信息

原厂型号
BSZ076N06NS3GATMA1
摘要
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 20A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
50 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4000 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),69W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerVDFN

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

BSZ076N06NS3GATMA1TR
SP000454420
BSZ076N06NS3 G
BSZ076N06NS3GINCT-ND
BSZ076N06NS3GATMA1CT
BSZ076N06NS3GINTR-ND
BSZ076N06NS3GINCT
2156-BSZ076N06NS3GATMA1
BSZ076N06NS3G
BSZ076N06NS3GINTR
IFEINFBSZ076N06NS3GATMA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies BSZ076N06NS3GATMA1

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HTML 规格书
1(BSZ076N06NS3G)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 60V N-Channel Spice Model)

价格

-

替代型号

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