元器件型号详细信息

原厂型号
EPC2103
摘要
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
详情
MOSFET - 阵列 80V 28A 表面贴装型 模具
原厂/品牌
EPC
原厂到货时间
16 周
EDA/CAD 模型
标准包装
500

技术参数

制造商
EPC
系列
eGaN®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
GaNFET(氮化镓)
配置
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
28A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.5 毫欧 @ 20A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.5nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
760pF @ 40V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具
基本产品编号
EPC210

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

917-1183-6
917-1183-2
917-1183-1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/EPC EPC2103

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规格书
1(EPC2103)
视频文件
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环保信息
1(EPC RoHS & Halogen Cert)
参考设计库
1(EPC9039: 17A Half H-bridge, 0 ~ 80V)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Add 28/Aug/2020)
HTML 规格书
1(EPC2103)
Forum Discussions
1(What do GaN FETS look like and how do they work?)

价格

数量: 1000
单价: $41.46987
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 500
数量: 500
单价: $47.61356
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 500
数量: 100
单价: $54.6786
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $66.048
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $73.14
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $54.6786
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $66.048
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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单价: $73.14
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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