元器件型号详细信息

原厂型号
FDB8441-F085
摘要
MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 28A(Ta),80A(Tc) 300W(Tc) D²PAK(TO-263)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800

技术参数

制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
28A(Ta),80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.5 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
280 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15000 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK(TO-263)
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
FDB844

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

FDB8441-F085DKR
FDB8441-F085CT
FDB8441_F085TR
FDB8441_F085-ND
FDB8441_F085CT
FDB8441-F085TR
FDB8441_F085CT-ND
FDB8441_F085DKR
FDB8441_F085DKR-ND
FDB8441_F085
2832-FDB8441-F085TR
FDB8441_F085TR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FDB8441-F085

相关文档

规格书
1(FDB8441-F085)
视频文件
1(Driving Automotive Technology)
环保信息
()
特色产品
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
PCN 零件编号
1(Mult Device Part Number Chg 30/May/2017)
EDA 模型
1(FDB8441-F085 by Ultra Librarian)
Forum Discussions
1(On Semiconductor Automotive F085 Status Check)

价格

-

替代型号

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型号 : BUK661R9-40C,118
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型号 : NP110N04PUG-E1-AY
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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