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GermanyBSC112N06LDATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSC112N06LDATMA1
摘要
TRENCH 40<-<100V
详情
MOSFET - 阵列 60V 20A（Tc） 65W（Tc） 表面贴装型 PG-TDSON-8-4
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™-T2
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.2 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 28µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
55nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4020pF @ 30V
功率 - 最大值
65W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PG-TDSON-8-4
基本产品编号
BSC112
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-BSC112N06LDATMA1CT
448-BSC112N06LDATMA1DKR
448-BSC112N06LDATMA1TR
SP002594372
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies BSC112N06LDATMA1
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规格书
1(BSC112N06LD)
HTML 规格书
1(BSC112N06LD)
EDA 模型
1(BSC112N06LDATMA1 by Ultra Librarian)
价格
数量: 10000
单价: $5.52935
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
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最小包装数量: 5000
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最小包装数量: 5000
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替代型号
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