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20250603
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元器件资讯
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RGW80TS65CHRC11
元器件型号详细信息
原厂型号
RGW80TS65CHRC11
摘要
IGBT 650V 81A TO247N
详情
IGBT 650 V 81 A 214 W 通孔 TO-247N
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
46 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
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技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
81 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V,40A
功率 - 最大值
214 W
开关能量
120µJ(开),340µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
110 nC
25°C 时 Td(开/关)值
43ns/145ns
测试条件
400V,20A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
33 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247N
基本产品编号
RGW80
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Rohm Semiconductor RGW80TS65CHRC11
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规格书
1(RGW80TS65CHR)
产品培训模块
()
特色产品
1(GWxx65C Series Hybrid IGBTs with Built-In SiC Diode)
HTML 规格书
1(RGW80TS65CHR)
价格
数量: 1000
单价: $72.53526
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $74.32438
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $83.5512
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $98.925
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $107.65
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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