元器件型号详细信息

原厂型号
IRL620STRR
摘要
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 5.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D²PAK(TO-263)
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
800 毫欧 @ 3.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
16 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
360 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta),50W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK(TO-263)
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
IRL620

相关信息

RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix IRL620STRR

相关文档

规格书
1(IRL620S, SiHL620S)

价格

-

替代型号

型号 : SIHL620STRL-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 788
单价. : ¥7.15000
替代类型. : 参数等效
型号 : SIHL620S-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 972
单价. : ¥7.23000
替代类型. : 参数等效
型号 : IRL620STRLPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 130
单价. : ¥16.14000
替代类型. : 参数等效
型号 : RCJ081N20TL
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 5
单价. : ¥9.22000
替代类型. : 类似