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GermanyCSD19536KTT
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD19536KTT
摘要
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
153 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12000 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DDPAK/TO-263-3
封装/外壳
TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA
基本产品编号
CSD19536
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
2（1 年）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-CSD19536KTT
296-47254-2
CSD19536KTT-ND
296-47254-1
296-47254-6
TEXTISCSD19536KTT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD19536KTT
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规格书
1(CSD19536KTT)
特色产品
1(Power Management)
制造商产品页面
1(CSD19536KTT Specifications)
HTML 规格书
1(CSD19536KTT)
EDA 模型
()
价格
数量: 2500
单价: $20.20573
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 500
数量: 1000
单价: $21.26917
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 500
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最小包装数量: 500
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 500
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : CSD19536KTTT
制造商 : Texas Instruments
库存 : 0
单价. : ¥48.10000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥48.10000
替代类型. : 参数等效