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GermanyIRF6216TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF6216TRPBF
摘要
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
详情
表面贴装型 P 通道 150 V 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
240 毫欧 @ 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
49 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1280 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF6216TRPBFTR
SP001564802
IRF6216TRPBF-ND
Q9296044
IRF6216TRPBFDKR
IRF6216TRPBFCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF6216TRPBF
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PCN 设计/规格
1(Mult Dev Label Chgs Aug/2020)
PCN 组装/来源
1(Alternate Assembly Site 15/Apr/2014)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRF6216PbF)
仿真模型
1(IRF6216PBF Saber Model)
价格
-
替代型号
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