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GermanyNTMD6N03R2G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTMD6N03R2G
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
详情
MOSFET - 阵列 30V 6A 1.29W 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
32 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
950pF @ 24V
功率 - 最大值
1.29W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
NTMD6
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NTMD6N03R2GOS-ND
NTMD6N03R2GOSCT
ONSONSNTMD6N03R2G
NTMD6N03R2GOSTR
NTMD6N03R2GOS
NTMD6N03R2GOSDKR
=NTMD6N03R2GOSCT-ND
2156-NTMD6N03R2G-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NTMD6N03R2G
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规格书
1(NTMD6N03R2)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 08/Jul/2021)
PCN 设计/规格
1(Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008)
PCN 封装
1(Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018)
HTML 规格书
1(NTMD6N03R2)
EDA 模型
1(NTMD6N03R2G by Ultra Librarian)
价格
-
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