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元器件型号详细信息
原厂型号
IPC020N10L3X1SA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 1A（Tj） 带箔切割晶片
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
散装
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 12µA
Vgs（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
带箔切割晶片
封装/外壳
模具
基本产品编号
IPC020N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-IPC020N10L3X1SA1
IPC020N10L3X1SA1-ND
2156-IPC020N10L3X1SA1
SP001006962
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPC020N10L3X1SA1
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规格书
1(IPC020N10L3)
HTML 规格书
1(IPC020N10L3)
价格
数量: 10000
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替代型号
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