IPN80R2K4P7ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPN80R2K4P7ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223

详情

表面贴装型 N 通道 800 V 2.5A（Tc） 6.3W（Tc） PG-SOT223

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

39 周

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ P7

包装

卷带（TR）

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

2.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

2.4 欧姆 @ 800mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 40µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

7.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

150 pF @ 500 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

6.3W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-SOT223

封装/外壳

TO-261-4，TO-261AA

基本产品编号

IPN80R2

其它名称

INFINFIPN80R2K4P7ATMA1

IPN80R2K4P7ATMA1-ND

IPN80R600P7

2156-IPN80R2K4P7ATMA1

IPN80R2K4P7ATMA1CT

SP001664994

IPN80R2K4P7ATMA1DKR

IPN80R2K4P7ATMA1TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPN80R2K4P7ATMA1

价格

数量: 15000

单价: $2.77042
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 6000

单价: $2.87864
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 3000

单价: $3.03014
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 1000

单价: $3.24661
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $4.11232
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $4.978
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.384
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.15
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $3.24661
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $4.11232
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $4.978
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.384
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.15
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

846-020-558-608 TLE-114-01-G-DV-P MXD1813XR44+T RWR89S8660FRS73 ATSAMD21E17L-AFT

IPN80R2K4P7ATMA1

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