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GermanySI7464DP-T1-E3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI7464DP-T1-E3
摘要
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK® SO-8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
63 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
240 毫欧 @ 2.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
SI7464
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SI7464DPT1E3
SI7464DP-T1-E3TR
SI7464DP-T1-E3CT
2266-SI7464DP-T1-E3
SI7464DP-T1-E3DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SI7464DP-T1-E3
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规格书
1(SI7464DP)
PCN 组装/来源
1(New Solder Plating Site 18/Apr/2023)
HTML 规格书
1(SI7464DP)
价格
数量: 3000
单价: $7.00383
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
型号 : BSC22DN20NS3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
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单价. : ¥10.61000
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