元器件型号详细信息

原厂型号
STW35N65M5
摘要
MOSFET N-CH 650V 27A TO247-3
详情
通孔 N 通道 650 V 27A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ V
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
98 毫欧 @ 13.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
83 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3750 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
160W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
STW35N

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

STW35N65M5-ND
-497-11000-5
497-11000-5

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STW35N65M5

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规格书
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1(IPD/15/9345 04/Aug/2015)
HTML 规格书
1(STx35N65M5)
EDA 模型
1(STW35N65M5 by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

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