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GermanyIXFX120N20
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFX120N20
摘要
MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
详情
通孔 N 通道 200 V 120A（Tc） 560W（Tc） PLUS247™-3
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
300 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9100 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
560W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PLUS247™-3
封装/外壳
TO-247-3 变式
基本产品编号
IXFX120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
IFX120N20
IXFX120N20-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXFX120N20
相关文档
规格书
1(IXF(X,K)120N20)
环保信息
1(Ixys IC REACH)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices OBS 24/Feb/2014)
HTML 规格书
1(IXF(X,K)120N20)
价格
数量: 30
单价: $122.30167
包装: 管件
最小包装数量: 30
包装: 管件
最小包装数量: 30
替代型号
型号 : IXFX170N20P
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥170.07600
替代类型. : 直接
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型号 : IRFP90N20DPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 30
单价. : ¥62.72000
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