TSM200N03DPQ33 RGG

元器件型号详细信息

原厂型号

TSM200N03DPQ33 RGG

摘要

MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

详情

MOSFET - 阵列 30V 20A（Tc） 20W 表面贴装型 8-PDFN（3x3）

原厂/品牌

Taiwan Semiconductor Corporation

原厂到货时间

32 周

EDA/CAD 模型

标准包装

5,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

技术

MOSFET（金属氧化物）

配置

2 N-通道（双）

FET 功能

-

漏源电压（Vdss）

30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

20A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

20 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

4nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

345pF @ 25V

功率 - 最大值

20W

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerWDFN

供应商器件封装

8-PDFN（3x3）

基本产品编号

TSM200

其它名称

TSM200N03DPQ33RGGCT

TSM200N03DPQ33RGGTR

TSM200N03DPQ33 RGGDKR

TSM200N03DPQ33RGGDKR

TSM200N03DPQ33 RGGTR

TSM200N03DPQ33 RGGCT

TSM200N03DPQ33 RGGDKR-ND

TSM200N03DPQ33 RGGTR-ND

TSM200N03DPQ33 RGGCT-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Taiwan Semiconductor Corporation TSM200N03DPQ33 RGG

价格

数量: 5000

单价: $5.41336
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 2000

单价: $5.69825
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $6.10529
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $7.73334
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $9.3618
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $12.004
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $13.44
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $5.69825
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $6.10529
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $7.73334
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $9.3618
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $12.004
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $13.44
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

ERJ-1GNF3402C RN73R2BTTD3362B50 4470-34G ATS-13G-137-C1-R0 MSMLJ75AE3/TR

TSM200N03DPQ33 RGG

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