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GermanyNVMTS4D3N15MC
元器件型号详细信息
原厂型号
NVMTS4D3N15MC
摘要
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00
详情
表面贴装型 N 通道 150 V 21A（Ta），165A（Tc） 5W（Ta），292W（Tc） 8-DFNW（8.3x8.4）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
53 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Ta），165A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.45 毫欧 @ 95A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 521µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
79 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6514 pF @ 75 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5W（Ta），292W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-DFNW（8.3x8.4）
封装/外壳
8-PowerTDFN
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
488-NVMTS4D3N15MCTR
488-NVMTS4D3N15MCDKR
488-NVMTS4D3N15MCCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NVMTS4D3N15MC
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规格书
1(NVMTS4D3N15MC)
环保信息
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价格
数量: 3000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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