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20250528
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元器件资讯
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MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B TR
元器件型号详细信息
原厂型号
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B TR
摘要
IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA
详情
闪存 - NAND 存储器 IC 1.125Tb 并联 333 MHz 132-VBGA(12x18)
原厂/品牌
Micron Technology Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
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技术参数
制造商
Micron Technology Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
闪存 - NAND
存储容量
1.125Tb
存储器组织
144G x 8
存储器接口
并联
时钟频率
333 MHz
写周期时间 - 字,页
-
电压 - 供电
2.5V ~ 3.6V
工作温度
0°C ~ 70°C(TA)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
132-VBGA
供应商器件封装
132-VBGA(12x18)
基本产品编号
MT29F1T208
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
其它名称
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B TR-ND
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:BTR
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路(IC)/存储器/存储器/Micron Technology Inc. MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B TR
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