IPB65R125C7ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB65R125C7ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 650 V 18A（Ta） 101W（Tc） PG-TO263-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ C7

包装

卷带（TR）

产品状态

allaboutcomponents.com 停止提供

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

18A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

125 毫欧 @ 8.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 440µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

35 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1670 pF @ 400 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

101W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB65R

其它名称

2156-IPB65R125C7ATMA1

SP001080134

INFINFIPB65R125C7ATMA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB65R125C7ATMA1

价格

数量: 2000

单价: $17.24259
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 1000

单价: $18.1501
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

替代型号

型号 : IPB65R125C7ATMA2

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥23.81799
替代类型. : 直接

型号 : IPB60R080P7ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥47.62000
替代类型. : 直接

型号 : STB33N60DM2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥39.99000
替代类型. : 类似

型号 : STB37N60DM2AG

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥52.87000
替代类型. : 类似

型号 : STB33N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 26,648
单价. : ¥36.89000
替代类型. : 类似

型号 : STB34N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥51.99000
替代类型. : 类似

ESQT-114-03-L-D-400 TMP275AIDGKT AF0402DR-0719K1L RK73H2BTTD9093F APT20N60SC3G

IPB65R125C7ATMA1

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