IPB120N04S4L02ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB120N04S4L02ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 40 V 120A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.7 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 110µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

190 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

+20V，-16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

14560 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

158W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB120

其它名称

2156-IPB120N04S4L02ATMA1

INFINFIPB120N04S4L02ATMA1

SP000979924

448-IPB120N04S4L02ATMA1DKR

IPB120N04S4L02ATMA1-ND

448-IPB120N04S4L02ATMA1TR

448-IPB120N04S4L02ATMA1CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB120N04S4L02ATMA1

价格

数量: 5000

单价: $12.45619
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 2000

单价: $12.94276
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 1000

单价: $13.62399
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 500

单价: $16.15404
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $18.9764
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $23.158
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $25.76
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $16.15404
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $18.9764
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $23.158
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $25.76
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

UFG1V220MEM1TD C1206C110G1HAC7800 S1PA7[UD]MTSW-134-13-S-Q-100 PS2561AL-1-N-A

IPB120N04S4L02ATMA1

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