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元器件型号详细信息
原厂型号
TT8M3TR
摘要
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
详情
MOSFET - 阵列 20V 2.5A，2.4A 1W 表面贴装型 8-TSST
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平栅极，1.5V 驱动
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A，2.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
72 毫欧 @ 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
260pF @ 10V
功率 - 最大值
1W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商器件封装
8-TSST
基本产品编号
TT8M3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TT8M3TRCT-ND
TT8M3TRCT
TT8M3TRDKR
TT8M3CT
TT8M3TRTR
TT8M3TRTR-ND
TT8M3TRDKR-ND
TT8M3DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Rohm Semiconductor TT8M3TR
相关文档
规格书
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其他相关文档
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环保信息
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HTML 规格书
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EDA 模型
1(TT8M3TR by Ultra Librarian)
仿真模型
1(TT8M3 Spice Model)
价格
数量: 3000
单价: $1.46204
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
替代型号
-