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GermanyE3M0120090D
元器件型号详细信息
原厂型号
E3M0120090D
摘要
SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
详情
通孔 N 通道 900 V 23A（Tc） 97W（Tc） TO-247-3
原厂/品牌
Wolfspeed, Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Wolfspeed, Inc.
系列
E-Series, Automotive
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
155 毫欧 @ 15A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17.3 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+18V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
350 pF @ 600 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
97W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
E3M0120090
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Wolfspeed, Inc. E3M0120090D
相关文档
规格书
1(E3M0120090D)
特色产品
()
PCN 产品变更/停产
1(E3M0yyy 02/Oct/2020)
PCN 封装
1(Packing Update 19/Mar/2020)
文库
1(Use SiC-Based MOSFETs to Improve Power Conversion Efficiency)
价格
-
替代型号
型号 : C3M0120090D
制造商 : Wolfspeed, Inc.
库存 : 2,168
单价. : ¥91.18000
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型号 : MSC080SMA120B
制造商 : Microchip Technology
库存 : 0
单价. : ¥101.75000
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