元器件型号详细信息

原厂型号
FDMS3572
摘要
MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP
详情
表面贴装型 N 通道 80 V 8.8A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) 8-MLP(5x6),Power56
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
UltraFET™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.8A(Ta),22A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
16.5 毫欧 @ 8.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
40 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2490 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),78W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-MLP(5x6),Power56
封装/外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
FDMS35

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

FDMS3572TR
FDMS3572DKR
FDMS3572CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FDMS3572

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规格书
1(FDMS3572)
环保信息
()
特色产品
()
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)

价格

数量: 6000
单价: $9.77621
包装: 卷带(TR)
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