English
Spain
Rusia
Italy
GermanySTGW75M65DF2
元器件型号详细信息
原厂型号
STGW75M65DF2
摘要
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 120 A 468 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
M
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，75A
功率 - 最大值
468 W
开关能量
690µJ（开），2.54mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
225 nC
25°C 时 Td（开/关）值
47ns/125ns
测试条件
400V，75A，3.3 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
165 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
STGW75
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/STMicroelectronics STGW75M65DF2
相关文档
规格书
1(STGW(A)75M65DF2 Datasheet)
视频文件
1(Traction Inverter Power Stages in Electric Vehicles)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(New Molding Compound 13/Sep/2019)
HTML 规格书
1(STGW(A)75M65DF2 Datasheet)
EDA 模型
1(STGW75M65DF2 by Ultra Librarian)
价格
数量: 1000
单价: $30.01247
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $32.87364
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $37.7517
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $45.601
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $50.48
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : STGWA75M65DF2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 118
单价. : ¥57.88000
替代类型. : 参数等效
库存 : 118
单价. : ¥57.88000
替代类型. : 参数等效